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台旺宏3D NAND论文 获IEDM选海南七星彩808论坛为亮

2019-06-07 19:08:37 特别关注165℃

  台旺宏3D NAND论文 获IEDM选为亮点论文

  【大纪元2017年11月29日讯】记忆体制造厂旺宏研发实力获国际肯定,今年有4篇论文入选国际电子元件大会(IEDM),其中一篇探讨3D NAND Flash创新结构的论文更获选为亮点论文。

  旺宏指出,今年获选为IEDM亮点论文的研究成果,主要是揭露一个崭新的3D储存型快闪记忆体(NANDFlash)记忆晶胞架构。

  由旺宏独立的研发的平坦垂直渠道型电晶体结构(SGVC),相较其他记忆体大厂现有技术,以相同的堆叠层数却可达到2至3倍的记忆体密度;旺宏SGVC只要堆叠16层,记忆体密度便可达到现行闸极环绕型结构堆叠48层的效果。

  此外,SGVC还可大幅减少几何效应对整体电性的敏感度,适合需要频繁读取资料的各式应用。

  旺宏其他入选的3篇技术论文,一篇是藉由电脑模拟的协助,降低3D NAND Flash中相邻Wordline(WL)的干扰问题,一篇是探究ReRAM元件在高阻态的变化机制。

  另一篇则是探讨相变化记忆体所采用选择器元件的材料问题,旺宏发现,在碲砷锗硅(TeAsGeSi)4种合成化合物中,特区彩票论坛若是掺入硒(Se),可促使选择器具备更佳的电性开关行为。(转自中央社)

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